多名業(yè)內(nèi)人士透露，LG集團(tuán)旗下子公司硅芯片有限公司（Silicon Works）日前宣布擴(kuò)大其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，重點(diǎn)押注碳化硅PMIC以及MCU。硅芯片公司此前更常以其驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品被業(yè)界所熟知。此次大動(dòng)作轉(zhuǎn)向碳化硅芯片領(lǐng)域，不僅透露了其對(duì)從LG集團(tuán)分拆后的發(fā)展規(guī)劃，更是從側(cè)面印證了碳化硅正在成為汽車領(lǐng)域冉冉升起的新星。此外，特斯拉、比亞迪、豐田、大眾等一線汽車廠商均開始大力布局碳化硅。

瞄股網(wǎng)1月14日：抱團(tuán)取暖股籌碼有所松動(dòng) 短線大

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機(jī)構(gòu)稱，當(dāng)前功率器件仍以碳基為主，但碳化硅基器件低能量損耗、耐高壓、耐高溫等優(yōu)良特性更適合功率器件使用，漸有取代碳基器件之勢(shì)。碳化硅基MOSFET相較于硅基MOSFET擁有高度穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)，工作溫度可達(dá) 600 ℃;擊穿場(chǎng)強(qiáng)是硅的十倍多碳化硅龍頭上市公司，因此阻斷電壓更高;導(dǎo)通損耗比硅器件小很多，而且隨溫度變化很小;熱導(dǎo)系數(shù)幾乎是硅材料的2.5倍，飽和電子漂移率是硅的2倍，所以能在更高的頻率下工作。正是基于這些特性，碳化硅終端市場(chǎng)主要為新能源車以及光伏服務(wù)碳化硅龍頭上市公司，尤其在新能源車的新能源車OBC、DC/DC、逆變器、充電樁，及光伏逆變器都需要大量使用功率器件。

上市公司中，揚(yáng)杰科技積極推進(jìn)IGBT新模塊產(chǎn)品的研發(fā)進(jìn)程，成功開發(fā)50A/75A/100A-1200V半橋規(guī)格的IGBT，同時(shí)完成了高壓碳化硅產(chǎn)品的開發(fā)設(shè)計(jì)，已經(jīng)推出多款6寸高壓MOSFET與8寸中低壓MOSFET產(chǎn)品。

三安光電子公司三安集成已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺(tái)的打造，目前多家客戶處于樣品測(cè)試階段。

關(guān)聯(lián)個(gè)股

揚(yáng)杰科技、三安光電

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